RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
20.6
Скорость записи, Гб/сек
9.4
20.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
4029
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link