RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
75
Около -134% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
32
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3726
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link