RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.4
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
21.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
4129
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link