RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Причины выбрать
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 33
    Около 15% меньшая задержка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.5 left arrow 11.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.4 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 33
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.7 left arrow 16.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 11.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1578 left arrow 2913

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Сравнения RAM

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
модули RAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
модули RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
модули RAM
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
модули RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
модули RAM