RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2681
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBXL 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link