SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Средняя оценка

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 17

Среднее значение в тестах

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Причины выбрать
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 77

Около -235% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.7 1,884.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 23
Скорость чтения, Гб/сек

2,936.9 17.0
Скорость записи, Гб/сек

1,884.0 14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

564 3156

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB

модули RAM