RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
18.0
Скорость записи, Гб/сек
6.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
3211
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link