RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
63
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2429
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link