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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 -170% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
27
读取速度,GB/s
6.3
17.7
写入速度,GB/s
5.2
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3587
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston XN205T-MIE2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
UMAX Technology 16GB
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