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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
14.2
11.7
写入速度,GB/s
10.0
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
1763
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
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Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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