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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
62
左右 -170% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
23
读取速度,GB/s
3,556.6
17.2
写入速度,GB/s
1,843.6
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3227
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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