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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
48
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
28
读取速度,GB/s
8.9
21.4
写入速度,GB/s
5.9
16.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3739
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
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Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
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