Comparación de la memoria RAM Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Puntuación global

Kingston KVR533D2N4 512MB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

24 75

En -213% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.6 1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.1 1,672.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 4200

En 4.57 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Kingston KVR533D2N4 512MB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

301 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns