Porównanie pamięci RAM Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Wynik ogólny

Kingston KVR533D2N4 512MB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 75

Wokół strony -213% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

15.6 1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.1 1,672.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 4200

Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston KVR533D2N4 512MB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

301 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns