Comparação RAM Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Pontuação geral

Kingston KVR533D2N4 512MB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB

Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

24 75

Por volta de -213% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.6 1

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.1 1,672.1

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 4200

Por volta de 4.57 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Kingston KVR533D2N4 512MB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

301 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns