Confronto tra le RAM Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Punteggio complessivo

Kingston KVR533D2N4 512MB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 75

Intorno -213% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.6 1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.1 1,672.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 4200

Intorno 4.57 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Kingston KVR533D2N4 512MB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

301 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns