Comparación de la memoria RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Puntuación global

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

33 37

En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

17.6 16

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 19200

En 1.33% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.6 12.0

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2910 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns