Confronto tra le RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

33 37

Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

17.6 16

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 19200

Intorno 1.33% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.6 12.0

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2910 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns