Porównanie pamięci RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wynik ogólny

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

33 37

Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

17.6 16

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 19200

Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2910 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns