Comparação RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Pontuação geral

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

33 37

Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.6 16

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 19200

Por volta de 1.33% maior largura de banda

Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.6 12.0

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2910 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns