Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

総合得点

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

総合得点

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 17000

周辺 1.25% 高帯域

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 34

周辺 -13% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.7 16.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.3 12.1

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

34 30
読み出し速度、GB/s

16.4 16.7
書き込み速度、GB/秒

12.1 12.3
メモリ帯域幅、mbps

21300 17000

Other

商品説明

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2616 3106

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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