RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2616
3106
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link