RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2616
3106
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link