RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB против A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
12.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.1
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2616
3106
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link