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Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Vergleichen Sie
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gesamtnote
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
65
77
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
2,279.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
77
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,872.0
4,605.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,279.6
2,451.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
713
878
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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