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Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Confronto
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
65
77
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,451.8
2,279.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
77
65
Velocità di lettura, GB/s
3,872.0
4,605.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,279.6
2,451.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
713
878
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
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