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Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

総合得点
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Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB

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総合得点
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB 考慮すべき理由
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    65 left arrow 77
    周辺 -18% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,451.8 left arrow 2,279.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 65
  • 読み出し速度、GB/s
    3,872.0 left arrow 4,605.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,279.6 left arrow 2,451.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    713 left arrow 878

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