RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
92
Autour de -268% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3683
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link