RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
92
Wokół strony -268% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3683
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link