Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 19

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 92

Около -268% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.9 1,266.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

92 25
Скорость чтения, Гб/сек

2,105.4 19.0
Скорость записи, Гб/сек

1,266.1 14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

339 3683

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

модули RAM

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston 9905711-015.A00G 4GB

Kingston 9905711-015.A00G 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB

модули RAM