Confronto tra le RAM ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Punteggio complessivo

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 95

Intorno -239% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

11.8 4.2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.9 3.1

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

635 1920

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns