Confronto tra le RAM Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Punteggio complessivo

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.5 18.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.5 14.0

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 17000

Intorno 1.51% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

21 31

Intorno -48% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3649 3356

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns