RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
52
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3098
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link