RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2989
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link