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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Compara
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Kingston KF548C38-16 16GB
Puntuación global
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Puntuación global
Kingston KF548C38-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KF548C38-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En -7% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR5
Latencia en PassMark, ns
31
29
Velocidad de lectura, GB/s
20.5
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
15.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 38
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3649
3319
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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