Comparação RAM Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Kingston KF548C38-16 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Kingston KF548C38-16 16GB

Pontuação geral

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

20.5 14.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.5 12.8

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 19200

Por volta de 1.33% maior largura de banda

Razões a considerar
Kingston KF548C38-16 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

29 31

Por volta de -7% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 38
Tempos / Velocidade do relógio

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3649 3319

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns