Confronto tra le RAM Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Kingston KF548C38-16 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Kingston KF548C38-16 16GB

Punteggio complessivo

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.5 14.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.5 12.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 19200

Intorno 1.33% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Kingston KF548C38-16 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 31

Intorno -7% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 38
Temporizzazioni / Velocità di clock

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz no data / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3649 3319

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns